固体撮像装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：佐藤一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991204342
Publication number (International publication number)：1993048066
Application date： Aug. 14, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】残像や暗電流の発生を抑制する。【構成】 p型半導体基板11上に形成された多結晶シリコン膜13の表面上に、感光部を形成すべき領域が除去されたレジスト膜15を形成する工程と、このレジスト膜15を用いて多結晶シリコン膜16にエッチングを行い、エッチングされた多結晶シリコン膜16aとレジスト膜15とをマスクとして不純物イオンを注入し、感光部を形成すべき領域にn型不純物領域17を形成する工程と、多結晶シリコン膜16aの端面のうち、n型不純物領域17に近接した部分が除去されないようにした状態で多結晶シリコン膜16aにパターニングを行い、電極となる多結晶シリコン膜16bを形成する工程とを備える。

Claim (excerpt)：

一導電型の半導体基板上に形成された導電性膜の表面上に、入射光を電荷に変換する感光部を形成すべき領域が除去されたレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜を用いて前記導電性膜にエッチングを行い、その後、このエッチングされた前記導電性膜と前記レジスト膜とをマスクとして不純物イオンを注入し、前記感光部を形成すべき領域に逆導電型の不純物領域を形成する工程と、前記導電性膜の端面のうち、前記不純物領域に近接した部分が除去されないようにした状態で前記導電性膜にパターニングを行い、電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 27/146 , H01L 31/10

FI (2)：

H01L 27/14 A , H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

固体撮像装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-156546 Applicant：松下電器産業株式会社

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