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J-GLOBAL ID：200903016705555469

半導体装置の製造方法

Inventor： 細木 昭仁 ,  宮武 浩 ,  米田 昌弘
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社 ,  三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992278360
Publication number (International publication number)：1994208974
Application date： Oct. 16, 1992
Publication date： Jul. 26, 1994
Summary：

【要約】【目的】 酸化シリコンのエッチングを選択的に精度よく行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 ECR 型プラズマエッチング装置において、O2 /C4 F8 容積化が1/8 〜1である混合ガスを用いてエッチングを行う。またエッチングの経過に伴い生成されるガス中の酸素原子分だけ差し引いた量の酸素ガスを含む混合ガスをガス導入管22により反応室15へ導入する。

Claim (excerpt)：

ガスプラズマを用いて酸化シリコン膜のエッチングを行う半導体装置の製造方法において、C4 F8 ガスに対する酸素含有ガスの容積比が1/8 乃至1である混合ガスをECR によりプラズマ化してエッチングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-125627
  
• 特開平4-170026
  
• 特開昭55-061027
  
• ドライエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-105281   Applicant：ソニー株式会社