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J-GLOBAL ID：200903016740495525
プラズモン共鳴を利用して検体中の標的物質を検知するための検知装置に用いられる検知素子及びその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：
西山 恵三
, 内尾 裕一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006158636
Publication number (International publication number)：2007017432
Application date： Jun. 07, 2006
Publication date： Jan. 25, 2007
Summary：
【課題】 プラズモン共鳴を利用した検知素子の製造方法であって、金属を基板上に規則正しく配置する簡易な方法を提供すること。【解決手段】 プラズモン共鳴を利用して検体中の標的物質を検知するための検知装置に用いられる検知素子の製造方法であって、導電層を有する基板を用意する工程と、前記導電層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を選択的に除去して前記導電層を表出させる工程と、前記表出した導電層上に電解めっき法により金属を析出させる工程と、を有する検知素子の製造方法。【選択図】 図2
Claim (excerpt)：
プラズモン共鳴を利用して検体中の標的物質を検知するための検知装置に用いられる検知素子であって、
基板と、
該基板表面に設けられた導電層と、
該導電層に接続して設けられた複数の金属ドットと、を有し、該金属ドットが表面に露出していると共に、露出した金属ドットの大きさが50nm以上450nm以下の範囲にあることを特徴とする検知素子。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (7)：
2G059AA05
, 2G059CC16
, 2G059EE01
, 2G059EE02
, 2G059EE12
, 2G059KK01
, 2G059KK02
