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J-GLOBAL ID：200903016752786932
パターン形成されたカーボンナノチューブ薄膜の作製方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岡部 正夫 (外11名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000247135
Publication number (International publication number)：2001130904
Application date： Aug. 17, 2000
Publication date： May. 15, 2001
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、パターン形成されたカーボンナノチューブ薄膜の作製方法を提供する。【解決手段】 固着性のパターン形成されたカーボンナノチューブ薄膜の作製方法が実現される。本発明に従って、基板はカーバイド形成材料、カーボン分解材料又は低融点金属でパターン形成される。次に、カーボンナノチューブをパターン形成された基板上に堆積させるが、基板材料又はパターン形成材料の固着性は比較的悪い。次に、基板は典型的な場合真空中で、具体的なパターン形成材料に依存した温度、たとえばカーバイド形成が起こる温度、カーボン分解が起こる温度又は低融点金属が溶融する温度で、アニールされる。アニーリングにより、パターン形成された領域上には固着性のナノチューブ薄膜が形成され、一方非パターン形成領域上に堆積させたナノチューブは、たとえば吹き込み研磨、ブラッシング又はメタノールのような溶媒中での超音波照射により、容易に除去される。
Claim (excerpt)：
基板を準備する工程;基板上にパターン形成された材料を供給し、材料はカーボン分解材料、カーバイド形成材料及び低融点金属から成る類から選択される工程;基板上にカーボンナノチューブを堆積させる工程;パターン形成された材料へのナノチューブの固着性を促進するため、基板をアニールする工程;及び基板の非パターン形成領域上に位置するナノチューブの少なくとも一部を除去する工程を含むパターン形成された固着性カーボンナノチューブ薄膜の作製プロセス。
IPC (4)：
C01B 31/02 101
, B82B 3/00
, H01J 1/304
, H01J 9/02
C01B 31/02 101 F
, B82B 3/00
, H01J 9/02 B
, H01J 1/30 F
