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J-GLOBAL ID：200903016759684078

微結晶シリコン膜及び微結晶シリコン膜の作製方法及び光電変換装置及び光電変換装置の作製方法。

Inventor： 山崎 舜平 ,  荒井 康行
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995345630
Publication number (International publication number)：1997162123
Application date： Dec. 09, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【目的】 プラズマCVD法により、高い成膜速度でもって良質な微結晶シリコン膜を成膜する技術を提供する。【構成】 容量結合型のプラズマCVD装置において、珪素の結晶化を助長する金属元素を導入できるソースガスと珪化物気体と水素ガスとを用いて、微結晶珪素膜を基板上に成膜する。この際、珪素の結晶化を助長する金属元素の作用により、高い成膜速度を得ることができる。

Claim (excerpt)：

水素、フッ素、塩素から選ばれた少なくとも1つの元素と、シリコンとを主な構成元素とする微結晶シリコン膜において、前記微結晶シリコン膜には珪素の結晶化を助長する金属元素が含まれており、前記金属元素の濃度が、5×1016cm-3以上、5×1019cm-3以下であることを特徴とする微結晶シリコン膜。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/24 ,  C30B 29/06 504 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (5)：

H01L 21/20 ,  C23C 16/24 ,  C30B 29/06 504 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 X

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-329761   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所, シャープ株式会社
• 特開昭63-224216
  
• 特許第3110398号