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J-GLOBAL ID：200903086464215309

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 大谷 久 ,  宮永 昭治 ,  張 宏勇 ,  山口 直明 ,  鈴木 敦則
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  シャープ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993329761
Publication number (International publication number)：1995161634
Application date： Dec. 01, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 結晶化を助長する触媒元素を用いて、550°C程度、4時間程度の加熱処理で結晶性珪素を得る方法において、加熱処理とレーザー光の照射を併用する。【構成】 ガラス基板11上に形成された非晶質珪素膜12上に極薄の酸化膜13を形成し、ニッケル等の触媒元素を10〜200ppm(要調整)添加した酢酸塩溶液等の水溶液14を滴下する。この状態で所定の時間保持し、スピナー15を用いてスピンドライを行なう。そして、550°C、4時間の加熱処理を行ない、さらにレーザー光を照射することによって、結晶性珪素膜を得る。上記構成において、溶液中の触媒元素の濃度を調整することで、完成した結晶性珪素膜中における触媒元素の濃度を精密に制御することができる。そしてこの結晶性珪素膜を用いることで、高い特性を有する半導体装置を得ることができる。

Claim (excerpt)：

結晶性を有する珪素膜を利用して活性領域が絶縁表面を有する基板上に構成された半導体装置であって、前記活性領域は、非晶質珪素膜に接して該珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を溶媒に解かして保持させ、加熱処理とレーザー光または強光を照射することにより形成されたものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/10

FI (2)：

H01L 29/78 311 Y ,  H01L 31/10 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (25)

• 特開平3-280420
  
• 特開平2-140915
  
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-162705   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平2-140915
  
• 特開昭63-142807
  
• 半導体装置の作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-180754   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭61-058879
  
• 薄膜トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-196807   Applicant：富士ゼロツクス株式会社
• 半導体作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-294633   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 多結晶半導体薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-268469   Applicant：ソニー株式会社
• 特開平2-260524
  
• 特開平2-260521
  
• 特開昭63-142807
  
• 特開昭61-058879
  
• 特開平4-022120
  
• 特開平2-260524
  
• 特開平2-260521
  
• 特開平4-022120
  
• 特開平3-280420
  
• 特開平2-140915
  
• 特開昭63-142807
  
• 特開昭61-058879
  
• 特開平2-260524
  
• 特開平2-260521
  
• 特開平4-022120