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J-GLOBAL ID：200903016781758050

半導体装置の製造方法

Inventor： 松浦 由紀 ,  石田 有親 ,  川久 慶人
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993179502
Publication number (International publication number)：1995038110
Application date： Jul. 21, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明は同一基板上に低リーク電流の非晶質シリコンTFTと高移動度の多結晶シリコンTFTを簡単に作製する方法を提供することを目的とする。【構成】 5×1020atoms/cm3 以下の低水素濃度の非晶質シリコンを堆積させて、非晶質シリコン膜の一部をビームアニールにより結晶化させて多結晶シリコン膜を形成する。ビームアニールされない非晶質シリコン膜には水素化を行い、ダングリングボンドの少ない非晶質シリコン膜を形成する。【効果】 同一基板上に非晶質シリコンTFTと多結晶シリコンTFTを簡単に作製できる。

Claim (excerpt)：

同一基板上に形成される非晶質シリコン薄膜から活性層が夫々形成される非晶質シリコン薄膜トランジスタと多結晶シリコン薄膜トランジスタを混在して成る半導体装置の製造方法において、水素濃度5×1020atoms/cm3 以下の非晶質シリコン膜を前記基板上に堆積して前記非晶質シリコン薄膜トランジスタの活性層を形成する工程と、その後前記非晶質シリコン膜のうち前記非晶質シリコン薄膜トランジスタの活性層とは異なる非晶質シリコン膜にビームアニールを行って多結晶シリコンに変え前記多結晶シリコン薄膜トランジスタの活性層を形成する工程と、その後前記非晶質シリコン薄膜トランジスタの活性層を水素化する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 311 C ,  H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-208635
  
• 薄膜半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-218690   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平1-202823