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J-GLOBAL ID：200903016810546726

プラズマ処理システム及びプラズマ処理方法

Inventor： 中村 康輔 ,  澤田 康志 ,  田口 典幸 ,  安田 正治 ,  山崎 圭一 ,  喜多山 和也 ,  中園 佳幸
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 西川 惠清 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999230801
Publication number (International publication number)：2001049470
Application date： Aug. 17, 1999
Publication date： Feb. 20, 2001
Summary：

【要約】【課題】 被処理物の熱的ダメージを低減することができるプラズマ処理システムを提供する。【解決手段】 大気圧下で生成したプラズマを被処理物7に供給して被処理物7にプラズマ処理を施すためのプラズマ処理システムに関する。プラズマ処理中に被処理物7を冷却するための冷却手段50を備える。冷却手段50で冷却しながら被処理物7にプラズマ処理を施すことができる。

Claim (excerpt)：

大気圧下で生成したプラズマを被処理物に供給して被処理物にプラズマ処理を施すためのプラズマ処理システムであって、プラズマ処理中に被処理物を冷却するための冷却手段を備えて成ることを特徴とするプラズマ処理システム。

IPC (4)：

C23F 4/00 ,  C23G 5/00 ,  H05H 1/24 ,  C23C 16/513

FI (4)：

C23F 4/00 Z ,  C23G 5/00 ,  H05H 1/24 ,  C23C 16/513

F-Term (26)：

4K030AA14 ,  4K030AA16 ,  4K030CA05 ,  4K030CA07 ,  4K030CA12 ,  4K030DA03 ,  4K030FA03 ,  4K030GA14 ,  4K030KA09 ,  4K030KA26 ,  4K053PA12 ,  4K053RA03 ,  4K053XA01 ,  4K053XA41 ,  4K053YA03 ,  4K053YA21 ,  4K057DA01 ,  4K057DD01 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DG12 ,  4K057DG20 ,  4K057DM36 ,  4K057DM39 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-183876   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開昭62-294437
  
• 大気圧プラズマ生成方法および装置並びに表面処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-169010   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• エッチング装置及びエッチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-097269   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭61-063030
  
• 金属蒸着フィルムのマージン加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-297428   Applicant：三菱伸銅株式会社