大気圧プラズマ生成方法および装置並びに表面処理方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997169010
Publication number (International publication number)：1998275698
Application date： Jun. 25, 1997
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】ヘリウムガスなどの希ガスの使用量を大幅に減少することができ、且つ大気圧下でプラズマを容易に生成できるようにする。【解決手段】誘電体1、1によって形成したガス流路23に、酸素ガスボンベ34とヘリウムガスボンベ36とから酸素ガスとヘリウムガスとを供給するとともに、電極2a、2b間に高周波電源いよって高周波電圧を印加し、プラズマ生成領域22にプラズマを発生させる。その後、ヘリウムガスの供給を停止し、酸素ガスのみによるプラズマを生成し、それにより生ずる活性種を被処理体8に照射して被処理体のアッシング処理やエッチング処理などを行う。

Claim (excerpt)：

誘電体により形成した大気圧又はその近傍の圧力下にあるプラズマ生成領域に放電用ガスを導入し、前記誘電体を挟んで設けた第1電極と第2電極とに高周波電圧を印加してプラズマを発生させる大気圧プラズマ生成方法において、希ガスと表面処理用ガスとの混合ガスを前記プラズマ生成領域に供給してプラズマを発生させ、その後、前記希ガスの供給を停止することを特徴とする大気圧プラズマ生成方法。

IPC (5)：

H05H 1/46 , C23F 4/00 , H01L 21/027 , H01L 21/3065 , H01L 21/304 341

FI (5)：

H05H 1/46 M , C23F 4/00 Z , H01L 21/304 341 D , H01L 21/30 572 A , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

表面処理方法及びその装置、半導体装置の製造方法及びその装置、並びに液晶ディスプレイの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-124250 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平2-151021
特開昭63-136628

Show all

Return to Previous Page