半導体発光素子とこれを用いた発光装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岩橋文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001305031
Publication number (International publication number)：2003110150
Application date： Oct. 01, 2001
Publication date： Apr. 11, 2003
Summary：

【要約】【課題】近紫外LEDと蛍光体層とを組み合わせてなる、高光束の白色系光を放つ半導体発光素子および半導体発光装置を提供する。【解決手段】近紫外LEDと、この近紫外LEDが放つ350〜410nm付近の近紫外光を吸収して400nm以上500nm未満の波長領域に発光ピークを有する青色系蛍光体と550nm以上600nm未満の波長領域に発光ピークを有する黄色系蛍光体を含む蛍光体層とを組み合わせることにより、高光束の白色系光を放つ半導体発光素子を得ることができる。

Claim (excerpt)：

350nmを超え410nm以下の波長領域に発光ピークを有する発光を放つ近紫外発光ダイオードと、前記近紫外発光ダイオードが放つ近紫外光を吸収して、380nm以上780nm以下の可視波長領域に発光ピークを有する蛍光を放つ複数の蛍光体を含む蛍光体層とを組み合わせ、CIE色度図における発光色度点(x,y)が、0.21≦x≦0.48、0.19≦y≦0.45の範囲にある白色系光を放つ半導体発光素子であって、前記蛍光体層が、波長380nmおよびその付近の波長領域の近紫外光照射の下で、550nm以上600nm未満の波長領域に発光ピークを有する黄色系の蛍光を放つ黄色系蛍光体と400nm以上500nm未満の波長領域に発光ピークを有する青色系の蛍光を放つ青色系蛍光体の二種類の蛍光体を含むことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (7)：

H01L 33/00 , C09K 11/08 , C09K 11/59 CPM , C09K 11/59 CPR , C09K 11/59 CPX , C09K 11/64 , C09K 11/73

FI (8)：

H01L 33/00 N , H01L 33/00 C , C09K 11/08 J , C09K 11/59 CPM , C09K 11/59 CPR , C09K 11/59 CPX , C09K 11/64 , C09K 11/73

F-Term (22)：

4H001CA02 , 4H001CA04 , 4H001CA05 , 4H001XA08 , 4H001XA12 , 4H001XA14 , 4H001XA15 , 4H001XA17 , 4H001XA20 , 4H001XA30 , 4H001XA38 , 4H001XA56 , 4H001YA25 , 4H001YA63 , 5F041AA11 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041DA18 , 5F041DA19 , 5F041DA44 , 5F041DA46 , 5F041EE25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-199020 Applicant：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
高効率蛍光体及び高効率蛍光体を有する光源
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-027215 Applicant：パテント-トロイハント-ゲゼルシヤフトフユールエレクトリツシエグリユーラムペンミツトベシユレンクテルハフツング
白色系半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-239341 Applicant：ローム株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Optical properties of Eu2+ - activated orthosilicates and orthophosphates

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