Pat
J-GLOBAL ID：200903016823569911

シミュレータ装置、シミュレーション方法およびプログラム

Inventor：
久井 茂幸

About 久井 茂幸


Applicant, Patent owner：
富士通テン株式会社

About 富士通テン株式会社


Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004183600
Publication number (International publication number)：2006014393
Application date： Jun. 22, 2004
Publication date： Jan. 12, 2006
Summary：
【課題】処理負荷を大幅に低減し、破綻することがないこと。【解決手段】電気的特性部と機械的特性部を有するモデルを用いてシミュレーションするシミュレータ装置20であって、統合電気シミュレーション部205は、複数のモデルの電気的特性部を統合し、統合した電気的特性部をシミュレーションし、機械シミュレーション部2061は、統合電気シミュレーション部205によってシミュレーションされた電気的特性部に対応する複数のモデルの機械的特性部をシミュレーションする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
電気的特性部と機械的特性部を有するモデルを用いてシミュレーションするシミュレータ装置であって、 複数の前記モデルの電気的特性部を統合し、統合した電気的特性部をシミュレーションする統合電気シミュレーション手段と、 前記統合電気シミュレーション手段によってシミュレーションされた電気的特性部に対応する複数の前記モデルの機械的特性部をシミュレーションする機械シミュレーション手段と、 を備えたことを特徴とするシミュレータ装置。
IPC (2)：
B60L 11/14 ,  G06F 19/00
FI (2)：
B60L11/14 ,  G06F19/00 110
F-Term (24)：
5H115PA06 ,  5H115PC06 ,  5H115PG04 ,  5H115PI16 ,  5H115PI24 ,  5H115PI29 ,  5H115PO06 ,  5H115PO17 ,  5H115PU08 ,  5H115PU24 ,  5H115PU25 ,  5H115QE01 ,  5H115QE02 ,  5H115QE10 ,  5H115QI04 ,  5H115QN03 ,  5H115RB15 ,  5H115SE04 ,  5H115TO12 ,  5H115TO13 ,  5H115TO21 ,  5H115TO23 ,  5H115TO30 ,  5H115UB08
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体試験装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-224986   Applicant：株式会社アドバンテスト
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM