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J-GLOBAL ID：200903016842847272

ワークのプラズマ処理方法

Inventor： 有田 潔 ,  土師 宏 ,  岩井 哲博
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000007420
Publication number (International publication number)：2001196360
Application date： Jan. 17, 2000
Publication date： Jul. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】 ウェハの回路パターンに含まれるMOSトランジスタなどの半導体素子がプラズマ処理中に受ける電気的ダメージを軽減できるワークのプラズマ処理方法を提供することを目的とする。【解決手段】 回路パターンの形成面を下面にして誘電体42を介在させてワーク15を下部電極部3上に載置し、下部電極部3が設けられた真空チャンバ1内にプラズマを発生させることにより、機械研削処理が施された表面のストレス層をエッチングして除去する。上部電極部2と下部電極部3の間の電位差のかなりの部分は誘電体42に負担されるので、回路パターンに含まれるMOSトランジスタなどの素子容量を有する半導体素子が受ける電気的ダメージはそれだけ軽減される。

Claim (excerpt)：

上部電極部と下部電極部を備えた真空チャンバの下部電極部上にワークをその回路パターンの形成面を下面にして載置し、上部電極部と下部電極部の間に高周波電圧を印加することによりプラズマを発生させて前記ワークの表面をプラズマ処理するプラズマ処理方法であって、前記下部電極部と前記ワークの間に誘電体を介在させることを特徴とするワークのプラズマ処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 645

FI (2)：

H01L 21/304 645 C ,  H01L 21/302 N

F-Term (6)：

5F004AA06 ,  5F004AA07 ,  5F004BA07 ,  5F004BB13 ,  5F004BB30 ,  5F004DB01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造法と表面保護用粘着シ-ト類
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-348108   Applicant：日東電工株式会社
• 特開昭63-127531
  
• 特開昭63-127531