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J-GLOBAL ID：200903016938609356

水素選択シリカ膜

Inventor： オヤマ,シエゴ,ティー. ,  ジャック,ダグ,エス. ,  ツァン,リーション ,  リー,ドゥーワン
Applicant, Patent owner： コノコフィリップス・カンパニー ,  バージニア テック インテレクチュアル プロパティーズ インコーポレーテッド
Agent (4)： 岡田 英彦 ,  福田 鉄男 ,  犬飼 達彦 ,  石岡 隆
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004508937
Publication number (International publication number)：2005528198
Application date： Jun. 03, 2003
Publication date： Sep. 22, 2005
Summary：

水素透過選択膜、透過選択膜を形成する方法、並びに透過選択膜、多孔性基材、及び任意の中間層を備える装置が説明される。低反応物質ガス濃度で化学蒸着(CVD)を用いることで、水素透過性の減少を最小限にして高い透過選択率が達成される。

Claim (excerpt)：

多孔性表面層及び多孔性基材層を有する透過選択非対称膜であって、 前記多孔性表面層はCVDガス流中に約0.112mol/m3以下の濃度を有するCVD反応物質ガスの化学蒸着によって蒸着される透過選択非対称膜。

IPC (5)：

B01D69/02 ,  B01D53/22 ,  B01D71/02 ,  C01B33/12 ,  C23C16/42

FI (5)：

B01D69/02 ,  B01D53/22 ,  B01D71/02 500 ,  C01B33/12 Z ,  C23C16/42

F-Term (36)：

4D006GA41 ,  4D006MA02 ,  4D006MA06 ,  4D006MA09 ,  4D006MA25 ,  4D006MB03 ,  4D006MC01 ,  4D006MC03X ,  4D006NA31 ,  4D006PA03 ,  4D006PB18 ,  4D006PB66 ,  4G072AA41 ,  4G072BB09 ,  4G072FF02 ,  4G072FF04 ,  4G072FF06 ,  4G072GG02 ,  4G072HH28 ,  4G072NN13 ,  4G072UU30 ,  4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA16 ,  4K030BA29 ,  4K030BB12 ,  4K030CA02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA15 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030GA01 ,  4K030HA04 ,  4K030JA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 米国特許第5,453,298号
  
• PCT特許出願PCT/US00/02075
  

Cited by examiner (1)

• 水素分離膜およびその製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-196228   Applicant：エヌオーケー株式会社, 諸岡成治