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J-GLOBAL ID：200903016957263746

磁性積層体および磁気抵抗効果素子

Inventor：
荒木 悟

About 荒木 悟

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宮内 大助

About 宮内 大助

, 
成宮 義和

About 成宮 義和


Applicant, Patent owner：
ティーディーケイ株式会社

About ティーディーケイ株式会社


Agent (1)： 石井 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993060891
Publication number (International publication number)：1994251941
Application date： Feb. 25, 1993
Publication date： Sep. 09, 1994
Summary：
【要約】【構成】 Fe、CoおよびNiの1種以上を含む磁性薄膜(膜A)と、Ag薄膜(膜B)とを交互に積層する。磁性薄膜およびAg薄膜は、分子線エピタキシー法で成膜する。膜Aおよび膜Bの界面部分における原子の混合率M=〔(NA +NB )-2(xA +xB )〕/(NA +NB )(ただし、膜AおよびBの構成原子をAおよびBとしたとき、膜AおよびBの界面から膜厚の1/2の厚さに本来存在するA原子およびB原子の数をそれぞれNA およびNB とし、膜Bおよび膜Aにそれぞれ侵入したA原子およびB原子の数をそれぞれxA およびxB とする。)は0.65〜1.0とする。【効果】 磁気抵抗変化率、飽和印加磁界強度、磁場感度が向上する。
Claim (excerpt)：
Fe、CoおよびNiの1種以上を含む磁性薄膜(膜A)と、Ag薄膜(膜B)とが積層されており、前記膜Aおよび膜Bはともに分子線エピタキシー法によって積層されており、膜Aおよび膜Bの界面部分における原子の混合率M=〔(NA +NB )-2(xA +xB )〕/(NA +NB )(ただし、膜Aおよび膜Bの構成原子をAおよびBとしたとき、膜Aおよび膜Bのそれぞれ界面から膜厚の1/2の厚さに本来存在するA原子およびB原子の数をそれぞれNA およびNB とし、膜Bおよび膜Aにそれぞれ侵入したA原子およびB原子の数をそれぞれxA およびxB とする。)が0.65〜1.0である磁性積層体。
IPC (2)：
H01F 10/16 ,  H01F 41/20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開平4-020409
  • 特開平1-110413
  • コンベヤ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-199655   Applicant：株式会社ダイフク
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