MFOSメモリトランジスタおよびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002070892
Publication number (International publication number)：2002353420
Application date： Mar. 14, 2002
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：

【要約】【課題】メモリトランジスタの信頼性を向上する強誘電体トランジスタ構造およびその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の強誘電体トランジスタ構造は、a)半導体基板上に下部と、側面と、上部とを有する強誘電体ゲートと、b)強誘電体ゲートと半導体基板との間に挿入されるゲート絶縁体と、c)側面に隣接するパッシベーション側壁とを含む。上記半導体基板はシリコンまたはSOIであり、上記強誘電体ゲートは、PGO、PZT、SBT、SBO、SBTO、SBTN、STO、BTO、BLT、LNOまたはYMnO3である。

Claim (excerpt)：

a)半導体基板上に下部と、側面と、上部とを有する強誘電体ゲートと、b)該強誘電体ゲートと該半導体基板との間に挿入されるゲート絶縁体と、c)該側面に隣接するパッシベーション側壁とを含む強誘電体トランジスタ構造。

IPC (6)：

H01L 27/105 , C23C 14/08 , C23C 16/40 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

C23C 14/08 , C23C 16/40 , H01L 27/10 444 A , H01L 29/78 371

F-Term (45)：

4K029AA06 , 4K029AA24 , 4K029BA43 , 4K029BA52 , 4K029BD01 , 4K029CA01 , 4K029CA05 , 4K029GA00 , 4K030BA01 , 4K030BA02 , 4K030BA10 , 4K030BA22 , 4K030BA42 , 4K030BA48 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 5F083FR06 , 5F083GA25 , 5F083HA02 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA06 , 5F083JA15 , 5F083JA19 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA43 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083PR03 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR23 , 5F083PR34 , 5F083PR40 , 5F101BA62 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BD30 , 5F101BD35 , 5F101BF01 , 5F101BH02 , 5F101BH14 , 5F101BH16

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

電界効果型半導体メモリ装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-230556 Applicant：日本電気株式会社
電界効果トランジスタ、これに用いる誘電体積層構造およびこれらの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-295434 Applicant：ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
分極互換バッファ層を有する金属絶縁体半導体構造体
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-509508 Applicant：サイメトリックスコーポレイション, 松下電子工業株式会社

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