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J-GLOBAL ID：200903016969317159

MFOSメモリトランジスタおよびその製造方法

Inventor：
シェン テン スー

About シェン テン スー

, 
フェンヤン ツアン

About フェンヤン ツアン

, 
ティンカイ リー

About ティンカイ リー


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002070892
Publication number (International publication number)：2002353420
Application date： Mar. 14, 2002
Publication date： Dec. 06, 2002
Summary：
【要約】【課題】 メモリトランジスタの信頼性を向上する強誘電体トランジスタ構造およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明の強誘電体トランジスタ構造は、a)半導体基板上に下部と、側面と、上部とを有する強誘電体ゲートと、b)強誘電体ゲートと半導体基板との間に挿入されるゲート絶縁体と、c)側面に隣接するパッシベーション側壁とを含む。上記半導体基板はシリコンまたはSOIであり、上記強誘電体ゲートは、PGO、PZT、SBT、SBO、SBTO、SBTN、STO、BTO、BLT、LNOまたはYMnO3である。
Claim (excerpt)：
a)半導体基板上に下部と、側面と、上部とを有する強誘電体ゲートと、b)該強誘電体ゲートと該半導体基板との間に挿入されるゲート絶縁体と、c)該側面に隣接するパッシベーション側壁とを含む強誘電体トランジスタ構造。
IPC (6)：
H01L 27/105 ,  C23C 14/08 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4)：
C23C 14/08 ,  C23C 16/40 ,  H01L 27/10 444 A ,  H01L 29/78 371
F-Term (45)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA52 ,  4K029BD01 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029GA00 ,  4K030BA01 ,  4K030BA02 ,  4K030BA10 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  5F083FR06 ,  5F083GA25 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA15 ,  5F083JA19 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR03 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR34 ,  5F083PR40 ,  5F101BA62 ,  5F101BB05 ,  5F101BD02 ,  5F101BD30 ,  5F101BD35 ,  5F101BF01 ,  5F101BH02 ,  5F101BH14 ,  5F101BH16
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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