Pat
J-GLOBAL ID：200903017058219520

交換結合膜、磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気ランダムアクセスメモリ

Inventor：
上條 敦

About 上條 敦


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001316100
Publication number (International publication number)：2003124541
Application date： Oct. 12, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：
【要約】【課題】 不規則合金系反強磁性体層を使用した交換結合膜において、ピン層の保磁力を小さいまま維持しつつより大きな交換結合磁場とを実現し、大きな交換結合エネルギーが得られる交換結合膜を提供する。【解決手段】 基板10上に、基板10との密着性を高める下地層11a、反強磁性体層12の配向性を制御する下地層11b、IrMn不規則合金からなる反強磁性体層12、ピン層13、キャップ保護層14をこの順に形成する。ピン層13は反強磁性体層12と交換結合する交換結合付与層13a及び交換結合を強める交換結合エンハンス層13bの2層により形成し、交換結合付与層13aはCo又は面心立方晶構造のCo100-XFeX合金(0≦X<25)からなる強磁性体により形成し、交換結合エンハンス層13bはFe又は体心立方晶構造のCo100-YFeY合金(25≦Y≦100)により形成する。
Claim (excerpt)：
不規則合金からなる反強磁性体層と、Co又は面心立方晶構造のCoFe合金の強磁性体からなり前記反強磁性体層に接し前記反強磁性体層との界面において交換結合を与える交換結合付与層と、この交換結合付与層における前記反強磁性体層の反対側の面に配置されFe又は体心立方晶構造のCoFe合金の強磁性体からなり前記交換結合付与層により与えられた交換結合を増幅する交換結合エンハンス層と、を有することを特徴とする交換結合膜。
IPC (7)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/187 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105
FI (7)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/187 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R
F-Term (15)：
2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA04 ,  5D034BA05 ,  5D034BA15 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AC01 ,  5E049BA12 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM