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J-GLOBAL ID：200903017198704607

半導体装置の製造方法

Inventor： 江口 公平
Applicant, Patent owner： 新日本製鐵株式会社
Agent (1)： 國分 孝悦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993351871
Publication number (International publication number)：1995201967
Application date： Dec. 28, 1993
Publication date： Aug. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】 フィールドシールドによる素子分離領域の幅を低減する。【構成】 多結晶シリコン膜3の側壁のシリコン酸化膜4′を、シリコン窒化膜5を耐酸化膜として多結晶シリコン膜3の側面を熱酸化することにより形成し、多結晶シリコン膜3からなるフィールドシールド電極の幅を微細加工限界以下にする。

Claim (excerpt)：

半導体基板の素子分離領域の上に絶縁膜を介して導電膜を設け、この導電膜の電位を固定することにより、上記素子分離領域における上記半導体基板の表面電位を固定するようにした半導体装置の製造方法において、上記半導体基板の上に上記絶縁膜を介して多結晶またはアモルファスシリコン膜及びシリコン窒化膜を順次形成する工程と、上記素子分離領域以外の上記シリコン窒化膜及び上記多結晶またはアモルファスシリコン膜をそれぞれ除去する工程と、しかる後、上記シリコン窒化膜をマスクとして上記多結晶またはアモルファスシリコン膜の側面を熱酸化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開昭57-036842
  
• 特開平2-015651
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-342696   Applicant：沖電気工業株式会社
• 特開昭57-036842
  
• 特開平2-015651