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J-GLOBAL ID：200903017204079965

半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor：
内田 智士

About 内田 智士


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996117436
Publication number (International publication number)：1997307186
Application date： May. 13, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、高出力動作の可能な低ノイズ半導体レーザー素子を得ることにある。【解決手段】 本発明の半導体レーザー素子は、半導体基板上1に形成された下部クラッド層2と、この下部クラッド層2上に形成された活性層3と、この活性層3上に形成された上部クラッド層4,6と、上部クラッド層4,6の内に電流路となるストライプ溝を有する電流制限層を備えた半導体レーザー素子において、前記電流制限層5,10の複数層からなり、少なくともそのうちの一層5は発光端面付近以外にストライプ溝を有しており、かつ、前記電流路となるストライプ溝を横切る方向にスリットが形成されていることを特徴とするものである。
Claim (excerpt)：
半導体基板上に形成された下部クラッド層と、該下部クラッド層上に形成された活性層と、該活性層上に形成された上部クラッド層と、該上部クラッド層の内に電流路となるストライプ溝を有する電流制限層を備えた半導体レーザ素子において、前記電流制限層は複数層からなり、少なくともそのうちの一層は発光端面付近以外にストライプ溝を有しており、かつ、前記電流路となるストライプ溝を横切る方向にスリットが形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (3)：
H01S 3/18 ,  G11B 7/125 ,  H01L 33/00
FI (3)：
H01S 3/18 ,  G11B 7/125 A ,  H01L 33/00 B
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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