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J-GLOBAL ID：200903054869848903
半導体レーザおよびその製法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994222021
Publication number (International publication number)：1996088439
Application date： Sep. 16, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：
【要約】【目的】 高出力動作の可能な低ノイズ半導体レーザをうること、およびその結果、高周波重畳回路の不要な、記録書込み兼読取り用ピックアップをうること、およびその半導体レーザをうるための製法を提供する。【構成】 活性層3を上下両面からはさむ上下クラッド層2、4、6の少なくとも一方の層中に、電流路となるストライプ溝を有する電流制限層を備えたダブルへテロ接合構造の半導体レーザであって、前記電流制限層5a、5bが複数層からなり、少なくともそのうちの1層が、前記電流路となるストライプ溝を横切る方向にスリットを有している。
Claim (excerpt)：
活性層を上下両面からはさむ上下クラッド層の少なくとも一方の層中に、電流路となるストライプ溝を有する電流制限層を備えたダブルへテロ接合構造の半導体レーザであって、前記電流制限層が複数層からなり、少なくともそのうちの1層が、前記電流路となるストライプ溝を横切る方向にスリットを有してなる半導体レーザ。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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