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J-GLOBAL ID：200903017210682487

電子素子

Inventor：
嘉数 誠

About 嘉数 誠

, 
小林 直樹

About 小林 直樹


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (1)： 高山 道夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001077455
Publication number (International publication number)：2001338568
Application date： Mar. 19, 2001
Publication date： Dec. 07, 2001
Summary：
【要約】【課題】 半導体薄膜上のレジストをリフトオフし、レジスト領域上の絶縁層、第二電極を形成する金属膜も除去された後も、半導体薄膜表面の電子放出領域にレジストの一部が残留し、電子の放出効率が落ちていた。【解決手段】 基板11上の窒化物半導体薄膜12に、Siを含有した窒化物半導体薄膜15と窒化物半導体薄膜15の上に、Siを含有した窒化物半導体薄膜16を有し、基板11に接するように第一電極17を有し、電気的に分離された第二電極18を有し、第三電極20を有し、第一電極17と第二電極18間に第一電極17が負になるように電圧を印加し、第二電極18と第三電極20間に第二電極18が負になるように電圧を印加し、窒化物半導体薄膜16の先端から空間に放出される電子eを第二電極18の電圧で制御し、前記電子eを第三電極20で受ける。
Claim (excerpt)：
基板(11)または窒化物半導体薄膜(12)の上に、ドナー不純物を含有した窒化物半導体薄膜(GaNまたはAlx Ga1-x N)(15)と窒化物半導体薄膜(15)の上に、ドナー不純物を含有した窒化物半導体薄膜(Aly Ga1-y NまたはAlN、但しx≦y)(16)を有し、基板(11)上または窒化物半導体薄膜(15)または窒化物半導体薄膜(16)に接するように第一電極(17)を有し、窒化物半導体薄膜(16)の先端の近傍に電気的に分離された第二電極(18)を有し、窒化物半導体薄膜(16)の先端部の近傍に第三電極(20)を有し、第一電極(17)と第二電極(18)間に第一電極(17)が負になるように電圧を印加し、第二電極(18)と第三電極(20)間に第二電極(18)が負になるように電圧を印加し、窒化物半導体薄膜(16)の先端から空間に放出される電子eを第二電極(18)の電圧で制御し、前記電子eを第三電極(20)で受けることを特徴とする電子素子。
IPC (2)：
H01J 1/304 ,  H01L 29/66
FI (2)：
H01L 29/66 E ,  H01J 1/30 F
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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