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J-GLOBAL ID：200903017220352639

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 滝川 正彦
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997065673
Publication number (International publication number)：1998261653
Application date： Mar. 19, 1997
Publication date： Sep. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 高電圧動作による高出力化が容易な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 GaAs基板10と、GaAs基板10上に形成され、InGaPよりもバンドギャップが広い半導体層よりなるバッファ層12と、バッファ層12上に形成されたInGaP層よりなるチャネル層14と、チャネル層14の電流を制御するゲート電極34とにより半導体装置を構成する。

Claim (excerpt)：

GaAs基板と、前記GaAs基板上に形成され、InGaPよりもバンドギャップが広い半導体層よりなるバッファ層と、前記バッファ層上に形成されたInGaP層よりなるチャネル層と、前記チャネル層の電流を制御するゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 電界効果型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-005085   Applicant：松下電子工業株式会社

Cited by examiner (1)

• 電界効果型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-005085   Applicant：松下電子工業株式会社