ナノ構造体を用いたセンサ素子、分析チップ、分析装置、センサ素子の製造方法、分析方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008114261
Publication number (International publication number)：2009264904
Application date： Apr. 24, 2008
Publication date： Nov. 12, 2009
Summary：

【課題】流路において露出したナノ構造体を有するセンサ素子であり、簡易に形成でき、信頼性が高く、検出が高性能で行えるセンサ素子を提供する。【解決手段】センサ素子1は、溝部5が設けられた面を有する基板2と、溝部5内で当該溝部5の両側壁に懸架して設けられ、かつ、基板5と一体に構成されたシリコンナノワイヤ3と、を有し、シリコンナノワイヤ3は、溝部5の底面から離間している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

溝部が設けられた面を有する基板と、上記溝部内で当該溝部の両側壁に懸架して設けられ、かつ、上記基板と一体に構成されたナノ構造体と、を有し、上記ナノ構造体は、上記溝部の底部から離間していることを特徴とするセンサ素子。

IPC (4)：

G01N 27/02 , B82B 1/00 , G01H 13/00 , G01N 29/00

FI (4)：

G01N27/02 E , B82B1/00 , G01H13/00 , G01N29/00 501

F-Term (43)：

2G046AA34 , 2G046BA09 , 2G046BB02 , 2G046BB04 , 2G046BC03 , 2G046BC05 , 2G046BE02 , 2G046BE07 , 2G046BE08 , 2G046BG01 , 2G046CA06 , 2G046DB05 , 2G046DC14 , 2G046DC16 , 2G046DC17 , 2G046DC18 , 2G046EA04 , 2G046EA08 , 2G046EA09 , 2G046EB09 , 2G046FB00 , 2G046FB02 , 2G046FB06 , 2G046FE00 , 2G046FE03 , 2G046FE11 , 2G046FE31 , 2G046FE38 , 2G046FE48 , 2G047AA01 , 2G047BC04 , 2G047CA04 , 2G047CA05 , 2G047CA07 , 2G047GD01 , 2G060AA07 , 2G060AC02 , 2G060AC10 , 2G060AG01 , 2G060DA02 , 2G064AB01 , 2G064BC05 , 2G064BC32

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

ナノセンサ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-549958 Applicant：プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ

Cited by examiner (3)

ナノセンサ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-549958 Applicant：プレジデント・アンド・フェローズ・オブ・ハーバード・カレッジ
カーボンナノチューブデバイス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2001-545835 Applicant：ザボードオブトラスティーズオブザレランドスタンフォードジュニアユニバーシティー
ナノ構造体を用いたセンサ素子、分析チップ、分析装置、およびセンサ素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2008-043606 Applicant：シャープ株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

Molecular detection based on conductance quantization of nanowires

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