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J-GLOBAL ID：200903017262693916

強誘電体薄膜と基体との複合構造体およびその製造方法

Inventor： 谷本 智 ,  垂井 康夫
Applicant, Patent owner： 垂井 康夫 ,  日産自動車株式会社
Agent (1)： 中村 純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994322206
Publication number (International publication number)：1996181289
Application date： Dec. 26, 1994
Publication date： Jul. 12, 1996
Summary：

【要約】【目的】良好な強誘電体および良好なSi活性層を同時に満足する複合構造体およびその製造方法を提供する。【構成】複合体の構造として、配向制御層4と相互拡散防止層3の少なくとも何れか一方と熱酸化SiO2層2とからなる複合中間膜を強誘電体膜5とSi基板1との間に挟持する構造。

Claim (excerpt)：

Siを含有する半導体基体あるいはSiを含有する半導体薄膜で表面を覆われた基体上に強誘電体薄膜を載置した複合構造体において、前記強誘電体薄膜と前記基体との間に、配向制御層と相互拡散防止層の少なくとも一方と、熱酸化SiO2層とからなる複合層を挟持したことを特徴とする強誘電体薄膜と基体との複合構造体。

IPC (4)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (2)：

H01L 27/10 441 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-161635
  
• 特開平2-248089
  
• 強誘電体記憶素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-237585   Applicant：シャープ株式会社