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J-GLOBAL ID：200903068684452354

強誘電体記憶素子

Inventor： 荻本 泰史
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994237585
Publication number (International publication number)：1996102528
Application date： Sep. 30, 1994
Publication date： Apr. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】 強誘電体キャパシタ部分にかかる実効的な電圧において、強誘電体膜の分極反転を行い半導体表面の伝導度を変調するに十分な値を確保でき、かつ、LSIとして要求される低駆動電圧に対応することを可能とするFET構造の強誘電体記憶素子を提供する。【構成】 電界効果型の強誘電体記憶素子において、LMnO3 (但し、LはY、Er、Ho、Tm、Yb、Luからなる群から選択された元素)で表される低誘電率の強誘電体膜を形成する。

Claim (excerpt)：

Si(100)単結晶基板と、基板表層部に形成されたソースおよびドレインと、ソース-ドレイン間にまたがるように形成された酸化シリコン絶縁膜上に、フローティングゲート電極、強誘電体膜、ゲート電極が順次形成された積層ゲート構造からなる強誘電体記憶素子において、強誘電体が、LMnO3 薄膜(LはY、Er、Ho、Tm、Yb、Luからなる群から選択された元素である。)であることを特徴とする強誘電体記憶素子。

IPC (8)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体記憶素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-247715   Applicant：ローム株式会社
• 特開昭58-046680
  
• 強誘電体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-205874   Applicant：ローム株式会社