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J-GLOBAL ID:200903017301209415

半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996023574
Publication number (International publication number):1997219418
Application date: Feb. 09, 1996
Publication date: Aug. 19, 1997
Summary:
【要約】【課題】 TAB実装方式の半導体装置において、インナーリードピッチの微細化に際しリード幅、厚みの減少に伴って発生するリードのクラック、曲がり、断線等の課題を解決し、半導体チップの狭ピッチ多電極化に対応した狭ピッチインナーリードパターンを有する半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 半導体チップ1の突起電極2と接続されるテープキャリアのインナーリード部3のベースフィルム4部分を開口せず、半導体チップ1とインナーリード部3のテープキャリアの間に硬化後に接着力と収縮応力を保持する絶縁樹脂7を塗布することにより、突起電極2とインナーリード部3を接続する構成としたものであり、テープキャリアに従来よりも厚みの薄い導体配線材を使用することが可能となり、インナーリード部3を厚みに対応した狭ピッチに微細化することができる。
Claim (excerpt):
導体配線部を形成したシート状のベースフィルムからなるテープキャリアと、光硬化性絶縁樹脂または熱硬化性樹脂または導電性樹脂または半田またはインジウム合金のいずれかを介して上記テープキャリア上に搭載されると共に、このテープキャリアに形成された導体配線部に突起電極が接続された半導体チップからなる半導体装置。
IPC (2):
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60
FI (2):
H01L 21/60 311 R ,  H01L 21/60 311 W
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (9)
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Cited by examiner (7)
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