デバイス、デバイスの製造方法、電気光学装置及び電子装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：稲葉良幸 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002119964
Publication number (International publication number)：2003318191
Application date： Apr. 22, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】イオン注入によらずに半導体膜に高濃度にドープされた領域を形成した半導体装置を提供する。【解決手段】基板上(11)に形成された半導体膜(12)と、上記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜(13)及びゲート電極膜(14)を積層してなるゲート領域(15)と、上記ゲート領域の両側に形成された前記ゲート電極膜と他の領域との接触を防止するための隔離手段(A)と、上記ゲート領域両側の前記基板上の領域にそれぞれ液体半導体材料(17)を焼成して形成されたソース領域及びドレイン領域と、を含む。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜及びゲート電極膜を積層してなるゲート領域と、前記ゲート領域の両側に形成された前記ゲート電極膜と他の領域との接触を防止するための隔離手段と、前記ゲート領域両側の前記基板上の領域にそれぞれ液体半導体材料から形成されたソース領域及びドレイン領域と、を含むデバイス。

IPC (4)：

H01L 21/336 , G02F 1/1368 , H01L 21/225 , H01L 29/786

FI (5)：

G02F 1/1368 , H01L 21/225 R , H01L 29/78 616 L , H01L 29/78 616 T , H01L 29/78 616 V

F-Term (47)：

2H092HA28 , 2H092JA28 , 2H092JA34 , 2H092JA37 , 2H092JA41 , 2H092JB57 , 2H092MA17 , 2H092MA24 , 2H092MA28 , 2H092MA29 , 2H092NA27 , 5F110AA16 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD03 , 5F110DD21 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE31 , 5F110EE32 , 5F110EE34 , 5F110EE41 , 5F110EE44 , 5F110EE48 , 5F110FF02 , 5F110FF21 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG41 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HJ11 , 5F110HJ15 , 5F110HJ16 , 5F110HK09 , 5F110HK31 , 5F110HL03 , 5F110HL23 , 5F110HM02 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN32 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110PP03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平4-186736
シリコン膜パターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-098154 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平2-307273

Show all

Cited by examiner (5)

特開平4-186736
シリコン膜パターンの形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-098154 Applicant：セイコーエプソン株式会社
特開平2-307273

Show all

Return to Previous Page