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J-GLOBAL ID：200903011971895532

シリコン膜パターンの形成方法

Inventor：
古沢 昌宏

About 古沢 昌宏

, 
石田 方哉

About 石田 方哉


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000098154
Publication number (International publication number)：2001284274
Application date： Mar. 31, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 ミクロンオーダーの精度を有し、尚且つ、簡便な工程で良質なシリコン膜パターンを形成する方法を提供する。【解決手段】 基板11表面に有機分子膜12を用いて、親液部と撥液部とを所定のパターンに形成するとともに、有機ケイ素化合物を含有した液体を親液部に選択的に塗布し、熱処理および/または光処理によって塗布膜をシリコン膜に変換することにより、親液部のみにシリコン膜16を形成する。
Claim (excerpt)：
基板表面に有機分子膜を用いて、親液部と撥液部とを所定のパターンに形成する工程と、有機ケイ素化合物を含有した液体を前記基板上の親液部に選択的に塗布する工程と、熱処理および/または光処理によって前記液体の塗布膜をシリコン膜に変換する工程と、からなることを特徴とするシリコン膜パターンの形成方法。
IPC (5)：
H01L 21/208 ,  C01B 33/02 ,  G03F 7/075 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4)：
H01L 21/208 Z ,  C01B 33/02 D ,  G03F 7/075 ,  H01L 29/78 618 A
F-Term (40)：
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC01 ,  2H025BD20 ,  4G072AA01 ,  4G072BB09 ,  4G072GG03 ,  4G072HH28 ,  4G072MM01 ,  4G072UU01 ,  5F053AA06 ,  5F053BB08 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG02 ,  5F053GG03 ,  5F053GG06 ,  5F053HH05 ,  5F053PP01 ,  5F053PP03 ,  5F053PP20 ,  5F053RR05 ,  5F053RR13 ,  5F053RR20 ,  5F110AA16 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD25 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP13 ,  5F110QQ01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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