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J-GLOBAL ID:200903017336521209

半導体パッケージ及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 石田 長七 (外2名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995219111
Publication number (International publication number):1997064078
Application date: Aug. 28, 1995
Publication date: Mar. 07, 1997
Summary:
【要約】【課題】 バンプ形成が1工程で済み、生産性高く製造することができるようにする。【解決手段】 半導体ウエハー4にバンプ1を形成し、半導体ウエハー1のバンプ形成面にバンプ1の高さの1/5〜1/2の寸法の厚みでレジン3を設けると共にレジン3を硬化させた後、半導体ウエハー1をダイシングしてチップ2に分割する。バンプ1がレジン3で埋もれることがなく、バンプ1を2つの工程で作製するような必要がなくなる。
Claim (excerpt):
表面にバンプが形成されたチップのバンプ形成面に、バンプの高さの1/5〜1/2の寸法の厚みでレジンが被覆されていることを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (4):
H01L 21/56 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/321
FI (5):
H01L 21/56 R ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 603 G
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)

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