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J-GLOBAL ID:200903021052517047
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
鈴江 武彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1993304184
Publication number (International publication number):1995161764
Application date: Dec. 03, 1993
Publication date: Jun. 23, 1995
Summary:
【要約】【目的】簡単な工程により樹脂封止が可能で容易に薄型化が可能な樹脂パッケージングを有し、配線基板上に実装する際の樹脂封止工程が不要になる樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】それぞれ集積回路素子が形成された複数のチップ領域を有し、各チップ領域の素子形成面の電極パッド12上にバンプ電極13が形成された半導体ウェハ11と、この半導体ウェハのバンプ電極の先端部が突出する厚さを有し、ウェハの素子形成面の全面を封止するように設けられた樹脂封止部材14とを具備することを特徴とする。
Claim (excerpt):
それぞれ集積回路素子が形成された複数のチップ領域を有し、各チップ領域の素子形成面の電極パッド上にバンプ電極が形成された半導体ウェハと、この半導体ウェハのバンプ電極の先端部が突出する厚さを有し、上記ウェハの素子形成面の全面を封止するように設けられた樹脂封止部材とを具備することを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
IPC (5):
H01L 21/60 311
, H01L 21/56
, H01L 23/28
, H01L 23/29
, H01L 23/31
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (8)
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特開平3-293740
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特開平4-091446
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半導体装置の実装方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-216589
Applicant:シチズン時計株式会社
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特開昭64-002331
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特開平1-173733
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-242258
Applicant:山形日本電気株式会社
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半導体装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-127152
Applicant:三菱電機株式会社
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電子部品
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-293852
Applicant:オムロン株式会社
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