半導体デバイスの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：作田康夫 , 井上学
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004272690
Publication number (International publication number)：2006093172
Application date： Sep. 21, 2004
Publication date： Apr. 06, 2006
Summary：

【課題】酸化膜などの透明膜が表層に形成された半導体デバイスの正常部において、ダイ間で画像の明るさが異なって検出された場合でも、欠陥を見逃すことなく、かつ誤検出を少なくして検査を行う。【解決手段】半導体デバイスの製造工程の途中で、所定の工程で処理された基板の異物の発生状態を検査し、検査して得た情報を用いて製造工程を監視しながら半導体デバイスを製造する方法において、基板の異物の発生状態を、基板を撮像し、撮像して得た画像信号について画像信号の明るさの順を求め、求めた明るさの順ごとに隣接する画像同士を比較して差を求めることにより基板上の異物を検出するようにした。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体デバイスの製造工程の途中で、所定の工程で処理された基板の異物の発生状態を検査し、該検査して得た情報を用いて前記製造工程を監視しながら半導体デバイスを製造する方法であって、前記基板の異物の発生状態を、前記基板を撮像し、該撮像して得た画像信号について該画像信号の明るさの順を求め、該求めた明るさの順ごとに隣接する画像同士を比較して差を求めることにより前記基板上の異物を検出することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/66 , G01N 21/956 , G01R 31/302

FI (3)：

H01L21/66 J , G01N21/956 A , G01R31/28 L

F-Term (31)：

2G051AA51 , 2G051AB01 , 2G051AB02 , 2G051BA20 , 2G051BB05 , 2G051CA03 , 2G051CA04 , 2G051CB05 , 2G051CC07 , 2G051DA07 , 2G051DA08 , 2G051EA08 , 2G051EA14 , 2G051EB01 , 2G051EB02 , 2G051EC03 , 2G051ED07 , 2G132AA00 , 2G132AE16 , 2G132AF14 , 2G132AL12 , 4M106AA01 , 4M106BA04 , 4M106CA41 , 4M106DB02 , 4M106DB04 , 4M106DB07 , 4M106DB12 , 4M106DB19 , 4M106DB20 , 4M106DJ18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開昭62-89336号公報
特開平1-117024号公報
微小欠陥検出方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-019489 Applicant：株式会社日立製作所, 日立電子エンジニアリング株式会社

Show all

Return to Previous Page