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J-GLOBAL ID：200903019075112694

微小欠陥検出方法及びその装置

Inventor： 芝 正孝 ,  森岡 洋 ,  永山 和彦 ,  谷内 俊明 ,  渡辺 哲也 ,  松永 良治 ,  野口 稔
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立電子エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 高橋 明夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995019489
Publication number (International publication number)：1996210989
Application date： Feb. 07, 1995
Publication date： Aug. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明の目的は、光を透過する薄膜が形成された基板上に存在する0.3〜0.8μm或いはそれ以下の微小異物等の微小欠陥を安定して高感度で検出できるようにした微小欠陥検出方法及びその装置を提供することにある。【構成】本発明は、基板1上に形成された薄膜1bから発生する反射光の強度を平滑化または平均化するように、半導体レーザ発振器5から出射されたレーザ光を、互いに非干渉な複数の光束にして、異なる入射角T1〜Tnで実効的に同時に、光を透過する薄膜1bが形成された基板1上に集光照射し、該照射光によって前記基板上に存在する微小異物等の微小欠陥3から生じる散乱光を集光レンズ11で集光して検出器14で検出するものである。

Claim (excerpt)：

薄膜が形成された基板から得られる反射光の強度が平均化または平滑化されるように、前記基板上の所望の箇所に対して、互いに異なる入射角度を持ち、互いに可干渉性を低減した指向性を有する光を斜め方向から照射し、前記基板上の微小欠陥から生じる散乱光を検出光学系で集光して光電変換手段で受光して該光電変換手段から得られる信号により前記基板上の微小欠陥を検出することを特徴とする微小欠陥検出方法。

IPC (2)：

G01N 21/88 ,  H01L 21/66

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 欠陥検査装置およびその方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-037816   Applicant：株式会社日立製作所
• 欠陥検査装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-238876   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-344447
  
• 特開平4-344447