Pat
J-GLOBAL ID：200903017369438196

不揮発性半導体記憶装置および不揮発性メモリセル

Inventor：
大石 司

About 大石 司


Applicant, Patent owner：
株式会社ルネサステクノロジ

About 株式会社ルネサステクノロジ


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002268026
Publication number (International publication number)：2004110867
Application date： Sep. 13, 2002
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：
【課題】メモリ特性を損なうことなくメモリセルサイズを低減することのできる相変化メモリを提供する。【解決手段】行列状に配列されるメモリセル(MC)に整列してダミーセル(DMC1,DMC2,DMC3)を整列して配置する。メモリセル行に対応して、複数のワード線(19a-19e)に対し、所定間隔で電気的に接続されるワード線杭打ち線(11a-11e)を形成し、またダミーセル行およびダミーセル列それぞれに対応して、基板領域に電気的に接続される基板杭打ち配線(12,13)を配設する。基板領域の電圧分布をなくしてメモリセルトランジスタの動作特性を安定化させ、またワード線杭打ち構造により高速でワード線を駆動する。【選択図】 図6
Claim (excerpt)：
行列状に配列され、各々がその記憶データに応じて物理的状態が設定されてデータを不揮発的に記憶する複数のメモリセル、および 前記複数のメモリセルと行および列の少なくとも一方において前記メモリセルと整列して配置され、各々が前記メモリセルと同じレイアウトを有する複数のダミーセルを備える、不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2)：
G11C13/00 ,  H01L27/10
FI (3)：
G11C13/00 A ,  H01L27/10 451 ,  H01L27/10 481
F-Term (13)：
5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA09 ,  5F083JA37 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA07 ,  5F083LA10 ,  5F083PR25 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-241122   Applicant：三菱電機株式会社
  • 特開昭57-020463
  • 半導体記憶装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-274332   Applicant：シヤープ株式会社

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM