半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999241122
Publication number (International publication number)：2001068635
Application date： Aug. 27, 1999
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】メモリセルのパターニング制御性が良いレイアウト構造を有する半導体記憶装置を得る。【解決手段】メモリセルアレイ領域1の1メモリセル単位のメモリセルの素子構成要素(活性領域10〜15,21〜23及びポリシリコン領域31〜42)のパターンと外周用ダミーセル領域3のダミーセルのパターンとは同一で、かつ両者のパターンは境界線BC1に対して線対称な関係を呈している。加えて、メモリセルアレイ領域1の1メモリセル単位のメモリセルのパターンと杭打ち領域2のダミーセルのパターンとは同一で、かつ両者のパターンは境界線BC2に対してに線対称な関係を呈している。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、メモリセルがアレイ状に配置されたメモリセルアレイ領域と、前記半導体基板上に前記メモリセルアレイ領域と隣接して配置され、ダミーセルを有するメモリセルアレイ隣接領域とを備え、前記メモリセルアレイ隣接領域の前記ダミーセルの少なくとも一部のパターンは、前記メモリセルアレイ領域と前記メモリセルアレイ隣接領域との境界線の近傍領域において、前記境界線に対し前記メモリセルの少なくとも一部のパターンと線対称の関係で形成される、半導体装置。

F-Term (7)：

5F083AD00 , 5F083BS00 , 5F083CR00 , 5F083LA01 , 5F083LA02 , 5F083LA17 , 5F083ZA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平4-322460
半導体記憶装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-259961 Applicant：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
特開平4-211169

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