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J-GLOBAL ID：200903017376192003

半導体発光素子の実装方法及びこれに用いるボンディングツール

Inventor： 小原 邦彦 ,  徳永 美根男
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998337151
Publication number (International publication number)：2000164636
Application date： Nov. 27, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】 接合面積の大きさを確保して安定したフェイスダウン実装ができる半導体発光素子の実装方法を提供すること。【解決手段】 電極パターンを形成した半導体ウエハー1を実装基板とし、フリップチップ型の半導体発光素子4をフェイスダウンで実装するに際し、半導体ウエハー1の電極パターン1aのそれぞれにバンプ電極3を形成し、半導体発光素子4の電極4c,4dをバンプ電極3に対応させて荷重負荷をかけながら搭載してバンプ電極3をレベリングし、半導体発光素子4の電極とバンプ電極3とを超音波振動によって接合するとき振動を負荷するボンディングツール24によって半導体発光素子4の位置ずれや回転ずれを抑える。

Claim (excerpt)：

電極パターンを形成した半導体ウエハーを実装基板とし、フリップチップ型の半導体発光素子をフェイスダウンで実装する方法であって、前記半導体ウエハーの電極パターンのそれぞれにバンプ電極を形成する工程と、前記半導体発光素子の電極を前記バンプ電極に対応させて荷重負荷をかけながら搭載し前記バンプ電極をレベリングする工程と、前記半導体発光素子の電極と前記バンプ電極とを溶融接合する工程と、前記半導体ウエハーを前記半導体発光素子をチップ単位として含むようにダイシングする工程とからなる半導体発光素子の実装方法。

IPC (2)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 33/00

F-Term (13)：

5F041AA38 ,  5F041AA43 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041DA09 ,  5F041DA13 ,  5F041DA20 ,  5F041DA91 ,  5F044KK05 ,  5F044KK19 ,  5F044LL00 ,  5F044PP16 ,  5F044PP17

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• バンプ高さ矯正方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-089270   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平4-180232
  
• 特開昭64-012555