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J-GLOBAL ID:200903017387849322
磁気セルを超高速制御するための方法及び装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
山田 卓二
, 田中 光雄
, 和田 充夫
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2006546103
Publication number (International publication number):2007517389
Application date: Dec. 24, 2004
Publication date: Jun. 28, 2007
Summary:
磁気素子の磁化を超高速で制御するための装置とその方法であって、装置(100)は表面弾性波発生手段(102)と、典型的には機能的及び部分的に構造的に前記SAW発生手段(102)内に設けられたトランスポートレイヤー(104)と、少なくとも1つの強磁性素子(106)とを備える。表面弾性波は発生された後、典型的には圧電材料より成るトランスポートレイヤー(104)内を伝播する。これにより、歪みがトランスポートレイヤー(104)及びトランスポートレイヤー(104)と接触した強磁性素子(106)内に発生する。この歪みは磁気弾性結合により強磁性素子(106)内に有効磁界を発生する。表面弾性波が強磁性共振(FMR)周波数に実質近い周波数を有する場合は、強磁性素子(106)は充分に吸収され、素子の磁化状態はFMR周波数で制御される。装置はRF磁気共振器、センサ、カメラ等に使用される。対応する方法は磁気要素及び磁気論理素子における超高速の読み出し及び切り換えに利用される。
Claim (excerpt):
磁気特性相互作用を可能とする装置(100)であって、
圧電材料を含み、周波数νSAWの表面弾性波を搬送するように構成されたレイヤーと、
強磁性共振周波数νFMRを有し、磁気弾性エネルギー変換が可能である、少なくとも1つの強磁性素子(106)と、を備え、
前記表面弾性波の周波数νSAWは、実質的には前記強磁性共振周波数νFMR又は前記強磁性共振周波数νFMRの整数倍に等しく、前記表面弾性波は前記少なくとも1つの強磁性素子(106)と相互作用して前記強磁性素子(106)の磁化状態に作用することを特徴とする装置。
IPC (7):
H01L 21/824
, H01L 27/105
, H01L 43/08
, G11C 11/15
, H01L 29/82
, G01R 33/09
, H01L 41/09
FI (6):
H01L27/10 447
, H01L43/08 Z
, G11C11/15 110
, H01L29/82 Z
, G01R33/06 R
, H01L41/08 L
F-Term (19):
2G017AD54
, 4M119AA05
, 4M119BB01
, 4M119BB03
, 4M119CC08
, 5F092AA03
, 5F092AB01
, 5F092AB06
, 5F092AC05
, 5F092AC08
, 5F092AC12
, 5F092AD24
, 5F092BB04
, 5F092BB05
, 5F092BB17
, 5F092BB22
, 5F092BB35
, 5F092BB42
, 5F092BC13
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (3)
-
特開平4-058605
-
特開昭61-073219
-
磁化駆動方法、磁気機能素子および磁気装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-264629
Applicant:ソニー株式会社
Cited by examiner (3)
-
特開平4-058605
-
特開昭61-073219
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磁化駆動方法、磁気機能素子および磁気装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-264629
Applicant:ソニー株式会社
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