座標修正装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：溝井章司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999020699
Publication number (International publication number)：2000222575
Application date： Jan. 28, 1999
Publication date： Aug. 11, 2000
Summary：

【要約】【課題】集積回路の回路不良を誘発するウェハ上のパーティクルを検査分析する装置において、パーティクルの座標精度を改善し、それにより、パーティクルの分析を容易にし、その結果、パーティクルの発生を低減でき、集積回路の歩留まりを向上させる。【解決手段】座標修正パラメータを算出するパラメータ算出部40と座標修正パラメータを記憶するパラメータ記憶部60と座標修正パラメータを用いて座標を補正する座標修正部70とを備えた。

Claim (excerpt)：

第1の装置から出力された座標を入力し、入力した座標の座標を修正して第2の装置の座標とする座標修正装置において、座標を修正する座標修正パラメータを記憶するパラメータ記憶部と、パラメータ記憶部に記憶された座標修正パラメータを用いて座標を修正する座標修正部とを備えたことを特徴とする座標修正装置。

IPC (3)：

G06T 7/00 , G01N 21/88 , H01L 21/66

FI (3)：

G06F 15/62 405 A , H01L 21/66 J , G01N 21/88 645 A

F-Term (23)：

2G051AA65 , 2G051AB01 , 2G051AC21 , 2G051CD04 , 2G051DA07 , 2G051DA08 , 2G051DA09 , 2G051ED11 , 2G051ED23 , 4M106AA01 , 4M106BA05 , 4M106CA41 , 4M106CA50 , 4M106DB20 , 4M106DJ21 , 4M106DJ32 , 5B057AA03 , 5B057BA02 , 5B057BA21 , 5B057CD20 , 5B057CH11 , 5B057DA07 , 5B057DB02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-025117 Applicant：三菱電機株式会社, セイコー電子工業株式会社

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