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J-GLOBAL ID:200903045746815998
微小異物の分析方法、分析装置およびこれらを用いる半導体素子もしくは液晶表示素子の製法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
高田 守 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995025117
Publication number (International publication number):1996220005
Application date: Feb. 14, 1995
Publication date: Aug. 30, 1996
Summary:
【要約】【目的】 パーティクル検査装置のもつ装置座標と他の分析装置のもつ装置座標とをはるかに高精度でリンクすることにより、微小異物の観察、分析および評価をすることができる微小異物の分析方法およびその装置を提供する。【構成】 パーティクル検査装置において試料表面の微小異物の位置を求め、該試料を分析装置の座標ステージ上に移し、前記パーティクル検査装置で求められた微小異物の位置を分析装置の座標ステージに入力して、該微小異物の内容を分析する微小異物の分析方法であって、前記パーティクル検査装置で採用する装置座標と前記分析装置で採用する装置座標の少なくとも一方を、表面にスケールが設けられた原器ウェハを用いて前記装置座標の有する誤差をあらかじめ補正して前記パーティクル検査装置および分析装置の装置座標を互いにリンクする。
Claim (excerpt):
パーティクル検査装置において試料表面の微小異物の位置を求め、該試料を分析装置の座標ステージ上に移し、前記パーティクル検査装置で求められた微小異物の位置を分析装置の座標に入力して、該微小異物の内容を分析する微小異物の分析方法であって、前記パーティクル検査装置で採用する装置座標と前記分析装置で採用する装置座標の少なくとも一方を、表面に相対的な位置関係を有するドット列が設けられた原器ウェハを用いて前記装置座標の有する誤差をあらかじめ測定し、その誤差を前記装置座標に対して補正することにより前記パーティクル検査装置および分析装置の装置座標を互いにリンクすることを特徴とする微小異物の分析方法。
IPC (2):
FI (2):
G01N 21/88 E
, H01L 21/66 P
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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特開平3-181848
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特開昭60-218845
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特開平3-156947
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異物検査装置およびその方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-110190
Applicant:株式会社日立製作所, 株式会社日立画像情報システム
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液晶基板の異物検査装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-171133
Applicant:日立電子エンジニアリング株式会社
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ダミーウェハおよびそれを用いた異物解析装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-267445
Applicant:株式会社日立製作所
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