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J-GLOBAL ID：200903017469932830

スピネル基板上に窒化ガリウムを成長させる方法

Inventor： ジャマール・ラムダニ ,  マイケル・エス・レビー ,  ペイジ・エム・ホルム
Applicant, Patent owner： モトローラ・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大貫 進介 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998011932
Publication number (International publication number)：1998247626
Application date： Jan. 05, 1998
Publication date： Sep. 14, 1998
Summary：

【要約】【課題】 複数のバッファ層を利用するスピネル基板上に窒化ガリウムを低コストにて成長させる方法であって、スピネル基板に係る格子不整合の割合および転移密度を削減する方法を提供する。【解決手段】 支持基板12を準備し、支持基板12のその一表面13上に複数のバッファ層14を位置付け、スピネル基板上に窒化ガリウムを成長させる。複数のバッファ層は、スピネル基板に対して不整合の割合の低いアルミニウムオキシナイトライド(ALON)から成る第1バッファ層15を含む。第2バッファ層16は第1バッファ層上に位置付けられ、低い転位密度の結晶化ALONから成る複数層17を含む。窒化アルミニウムから成る第3バッファ層18が第2バッファ層上に位置付けられ、窒化ガリウムから成る第4バッファ層20が第3バッファ層上に位置付けられる。光子的デバイス構造等が第4バッファ層上に製造される。

Claim (excerpt)：

基板上に窒化ガリウムを成長させる方法であって:一表面(13)を有する支持基板(12)を準備する段階;当該支持基板(12)の一表面(13)上に複数のバッファ層(14)を位置付ける段階であって、当該バッファ層(14)は、アルミニウムオキシナイトライド材料、結晶化アルミニウムオキシナイトライド、窒化アルミニウムおよび窒化ガリウムから構成されるところの段階;および前記複数のバッファ層(14)の表面上に、光子的デバイス構造、電子的デバイス構造および光学的導波構造(22)のうちのいずれかを製造する段階;から構成されることを特徴とする方法。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00

FI (5)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-153897
  
• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-322924   Applicant：日亜化学工業株式会社