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J-GLOBAL ID：200903058439318418

窒化物半導体発光素子

Inventor： 中村 修二 ,  岩佐 成人 ,  長濱 慎一
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995322924
Publication number (International publication number)：1996228025
Application date： Dec. 12, 1995
Publication date： Sep. 03, 1996
Summary：

【要約】【課題】向上した発光出力を示す窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】InおよびGaを含有する窒化物半導体からなる活性層(6)の両側またはその一方に接してInおよびGaを含有する窒化物半導体からなるクラッド層(5、7)を形成する。

Claim (excerpt)：

インジウムとガリウムとを含む窒化物半導体よりなり、第1の面と第2の面とを有する活性層を有し、該活性層の第1の面に接して活性層よりもバンドギャップが大きく、かつインジウムとガリウムとを含むn型窒化物半導体よりなる第1のn型クラッド層を備えることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-307430   Applicant：日立電線株式会社