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J-GLOBAL ID：200903017475666190

酸化物超電導複合体及びその作製方法

Inventor： 長嶋 賢 ,  坂井 直道 ,  劉 相任 ,  藤本 浩之 ,  村上 雅人
Applicant, Patent owner： 財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  財団法人鉄道総合技術研究所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996065596
Publication number (International publication number)：1997255333
Application date： Mar. 22, 1996
Publication date： Sep. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】 強い磁場を発生することが可能な技術を提供する。【解決手段】 RE-Ba-Cu-O(REは希土類元素を示す)系の超電導バルク体内のピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも2種類以上の超電導バルク体からなる酸化物超電導複合体である。また、RE-Ba-Cu-O(REは希土類元素を示す)系の超電導バルク体内のピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも2種類以上の超電導バルク体からなる酸化物超電導複合体であって、その周辺部は低磁場で大きな臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成し、中心部は高磁場で大きい臨界電流密度を有する超電導バルク体で構成したものである。

Claim (excerpt)：

RE-Ba-Cu-O(REは希土類元素を示す)系の超電導バルク体内のピンニングセンタに磁場を捕捉する少なくとも2種類以上の超電導バルク体からなることを特徴とする酸化物超電導複合体。

IPC (5)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/00 ZAA

FI (5)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/00 ZAA A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 高い臨界電流密度を有する酸化物超電導体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-183544   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 酸化物バルク超電導体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-354469   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 高温超伝導バルク体とコイル磁石の複合体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-280126   Applicant：財団法人国際超電導産業技術研究センター, 四国電力株式会社, 東ソー株式会社
• 酸化物超電導体厚膜積層体およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-143406   Applicant：旭硝子株式会社