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J-GLOBAL ID：200903017482252651

半導体発光装置及びその製法

Inventor： 佐野 武志
Applicant, Patent owner： サンケン電気株式会社
Agent (1)： 永田 義人 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998006423
Publication number (International publication number)：1999204838
Application date： Jan. 16, 1998
Publication date： Jul. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体発光装置の耐環境性及び耐紫外線性を改善する。【解決手段】 一対の配線導体(3、4)と、一対の配線導体(3、4)の一方の端部に固着された半導体発光素子(2)と、半導体発光素子(2)を被覆する光透過性の絶縁物封止体とを備えた半導体発光装置において、ガラス層(10)により絶縁物封止体を構成する。半導体発光素子(2)から照射される光に対して光透過性を有し且つ半導体発光素子(2)から照射される光を吸収して他の発光波長に変換する蛍光物質(10a)をガラス層(10)中に混入させる。半導体発光素子(2)の発光をガラス層(10)中の蛍光物質(10a)によって所望の発光波長に変換し、半導体発光素子(2)を包囲するガラス層(10)を通して外部に放出される。

Claim (excerpt)：

一対の配線導体(3、4)と、該一対の配線導体(3、4)の一方の端部に固着された半導体発光素子(2)と、前記半導体発光素子(2)を被覆する光透過性の絶縁物封止体とを備えた半導体発光装置において、前記絶縁物封止体は、ガラス層(10)により構成され、該ガラス層(10)は前記半導体発光素子(2)から照射される光に対して光透過性を有し且つ前記半導体発光素子(2)から照射される光を吸収して他の発光波長に変換する蛍光物質(10a)が混入されていることを特徴とする半導体発光装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-241449   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 素子封止型発光デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-236484   Applicant：ローム株式会社