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J-GLOBAL ID：200903017496966436

不揮発性メモリと不揮発性メモリの書き込み方法

Inventor：
坂本 善▲徳▼

About 坂本 善▲徳▼


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 徳若 光政
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000296023
Publication number (International publication number)：2002109891
Application date： Sep. 28, 2000
Publication date： Apr. 12, 2002
Summary：
【要約】【課題】 安定的な書き込み動作と、実質的な書き込み時間の短縮化を図りつつ、不良発生率の改善と使い勝手を良くした不揮発性メモリと不揮発性メモリの書き込み方法を提供する。【解決手段】 複数のワード線及び複数のビット線と、上記複数のワード線と複数のビット線との交点に浮遊ゲートに蓄積された電荷量に対応した記憶情報を持つ複数の記憶素子を有し、電気的に上記記憶情報の書き込み動作及び消去動作を行う不揮発性メモリにおいて、上記記憶素子に対して所定の書き込み量での書き込み動作を実施した後にベリファイ動作を行って上記浮遊ゲートに蓄積された電荷量を制御する書き込み制御回路に対して、書き込み開始時に上記所定の書き込み量に対して少ない書き込み量に設定されたサーチ書き込み動作及びそれに対応したベリファイ動作を1ないし複数回行うようにさせる。
Claim (excerpt)：
複数のワード線及び複数のビット線と、上記複数のワード線と複数のビット線との交点に浮遊ゲートに蓄積された電荷量に対応した記憶情報を持つ複数の記憶素子を有し、電気的に上記記憶情報の書き込み動作及び消去動作を行う不揮発性メモリであって、上記記憶素子に対して所定の書き込み量での書き込み動作を実施した後にベリファイ動作を行って上記浮遊ゲートに蓄積された電荷量を制御する書き込み制御回路を備えてなり、上記書き込み制御回路は、書き込み開始時において、上記所定の書き込み量に対して少ない書き込み量に設定されたサーチ書き込み動作及びそれに対応したベリファイ動作を1ないし複数回行うことを特徴とする不揮発性メモリ。
FI (3)：
G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 641
F-Term (7)：
5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AE05 ,  5B025AE08
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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