基板に材料を溶着及び/または除去するための処理チャンバ及びその方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢野敏雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2000507868
Publication number (International publication number)：2001514332
Application date： Aug. 03, 1998
Publication date： Sep. 11, 2001
Summary：

【要約】ウェーハが電解液および電場にさらされる場合に、半導体ウェーハ上に/から材料を堆積および/または除去するための処理室。中空スリーブは電解液を保持する収納室を形成するために利用される。支持体上に存在するウェーハは垂直に上方に移動し、スリーブに結合し、首脳室の包囲する床を形成する。一方の電極が収納室の内部に配置され、反対電極はウェーハの周囲に分配される複数の電極からなる。支持体が上昇し、スリーブに結合する場合に電極は電解液から保護される。1つの構成においては支持体およびスリーブは処理中に静止しており、別の構成においては処理中に回転または振動している。

Claim (excerpt)：

装置内に存在する材料を処理する装置において、前記材料を存在させるための支持体と、前記材料を処理するための処理液を含有する収納室を形成するための中空スリーブ、その際前記スリーブは下方端部および上方端部を有しており、前記中空スリーブ内に存在するために結合された第1電極と、前記材料に結合するための前記スリーブの前記下方端部に結合した少なくとも1つの第2電極とからなり、前記支持体は前記スリーブの嵌合を生じる場合は、前記処理液を内部に保持するために前記収納室のための包囲する床を形成することにより、前記材料が前記スリーブの前記下方端部を包囲することを引き起こし、前記の少なくとも1つの第2電極は、前記材料が前記第1電極と少なくとも1つの第2電極の電位差により生じる電場にさらされる場合は、前記処理液にさらされる前記材料の表面に接触することを特徴とする、装置内に存在する材料を処理する装置、

IPC (4)：

C25D 7/12 , C25D 5/04 , C25F 3/30 , H01L 21/288

FI (4)：

C25D 7/12 , C25D 5/04 , C25F 3/30 , H01L 21/288 E

F-Term (12)：

4K024AA09 , 4K024AB06 , 4K024BA06 , 4K024BA15 , 4K024BB12 , 4K024BC10 , 4K024CB09 , 4K024CB11 , 4K024DA05 , 4K024DA07 , 4M104BB04 , 4M104DD52

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

電解メッキ装置,及び電解メッキ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-071379 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置のアウターリード部のメッキ方法ならびにメッキ装置及びこれらを用いて製造した半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-211889 Applicant：株式会社日立製作所, 日立米沢電子株式会社
特公昭62-041320

Show all

Return to Previous Page