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J-GLOBAL ID：200903017545033386

炭化ケイ素構造体の製造方法および該製造方法による炭化ケイ素構造体

Inventor： 小高 文雄 ,  佐藤 朗 ,  宮本 太郎
Applicant, Patent owner： 株式会社ブリヂストン
Agent (1)： 中島 淳 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997231574
Publication number (International publication number)：1999079843
Application date： Aug. 27, 1997
Publication date： Mar. 23, 1999
Summary：

【要約】【課題】 反りが解消され、加工時における欠けもなく、特性値についても均一な炭化ケイ素構造体を提供すること。【解決手段】 (1)炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤とが均一に混合された混合物を焼結することにより得られた、密度が2.9g/cm3 以上の炭化ケイ素焼結体を、さらに1700〜2400°Cで、不活性ガスの雰囲気下で熱処理することを特徴とする炭化ケイ素構造体の製造方法および該製造方法による炭化ケイ素構造体。(2)炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤とが均一に混合された混合物を焼結することにより得られた、密度が2.9g/cm3 以上の炭化ケイ素焼結体をスライス加工し、研削し、さらに研磨した後、1700〜2400°Cで、不活性ガスの雰囲気下で熱処理することを特徴とする炭化ケイ素構造体の製造方法および該製造方法による炭化ケイ素構造体。

Claim (excerpt)：

炭化ケイ素粉末と非金属系焼結助剤とが均一に混合された混合物を焼結することにより得られた、密度が2.9g/cm3 以上の炭化ケイ素焼結体を、さらに1700〜2400°Cで、不活性ガスの雰囲気下で熱処理することを特徴とする炭化ケイ素構造体の製造方法。

IPC (3)：

C04B 35/565 ,  C04B 35/571 ,  C04B 35/645

FI (3)：

C04B 35/56 101 X ,  C04B 35/56 101 M ,  C04B 35/64 302 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-199065
  
• 特開昭61-106473
  
• 半導体製造装置用高純度β型炭化ケイ素焼結体の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-306293   Applicant：株式会社ブリヂストン