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J-GLOBAL ID：200903017559459475

事実上有機材料から成る電界効果トランジスタを製造する方法

Inventor： ミュートセルス コルネリス マルクス ヨハネス ,  デ レーウ ダホベルト ミヘル ,  ドゥリューリー クリストファー ジョン
Applicant, Patent owner： コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ
Agent (1)： 杉村 暁秀 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1999514099
Publication number (International publication number)：2001505002
Application date： Jul. 27, 1998
Publication date： Apr. 10, 2001
Summary：

【要約】有機電界効果トランジスタを製造する実際的な方法が開示されている。実質的に平坦な電極層へ3.0μm又はそれ以下の厚さを有する絶縁層を貼付することにより、2μmまでのチャネル長さを有し、10Vより充分低い電圧で電圧増幅に対する条件を満たし、且つ約25のオン/オフ比を有する有機電界効果トランジスタが作られ得る。

Claim (excerpt)：

基板表面上に事実上半導体材料から成る電界効果トランジスタを製造する方 法であって、前記の方法は、 -電気絶縁性基板表面を設けるステップ、 -ソース及びドレイン電極を収容し且つ電気絶縁性範囲と導電性範囲とのパッ チワークパターンを表示する有機第1電極層を貼付するステップ、 -有機半導電性層を貼付するステップ、 -0.3μmより薄い厚さを有する有機電気絶縁性層を貼付するステップ、 -ゲート電極を収容する有機第2電極層を貼付するステップ、 を具えていることを特徴とする事実上半導体材料から成る電界効果トランジス タを製造する方法。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/00

FI (5)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 617 T ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 617 M ,  H01L 29/28

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 有機電界効果型素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-205286   Applicant：株式会社東芝

Cited by examiner (1)

• 有機電界効果型素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-205286   Applicant：株式会社東芝