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J-GLOBAL ID：200903017582689780

酸化亜鉛結晶膜の育成方法

Inventor：
田辺 達也

About 田辺 達也


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002246953
Publication number (International publication number)：2004084001
Application date： Aug. 27, 2002
Publication date： Mar. 18, 2004
Summary：
【課題】半導体材料として良好な結晶性と光学的特性を有する酸化亜鉛結晶膜を簡便かつ低コストで育成し得る方法を提供する。【解決手段】例えばサファイアの基板上に酸化亜鉛のバッファ層と酸化亜鉛結晶膜とを有機金属気相堆積法で順次形成する方法において、その酸化亜鉛バッファ層は亜鉛と酸素を含む亜鉛アセチルアセトナートのような有機金属化合物のガスを利用して、酸素を含む他のガスを用いることなく形成される。そして、酸化亜鉛バッファ層上には、亜鉛と酸素を含む有機金属化合物のガスと酸素ガスとの両方を用いて酸化亜鉛結晶膜が育成される。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板上に酸化亜鉛のバッファ層と酸化亜鉛結晶膜とを気相成長で順次形成する方法において、前記酸化亜鉛バッファ層は亜鉛と酸素を含む有機金属化合物のガスを利用して酸素を含む他のガスを用いることなく形成されることを特徴とする酸化亜鉛結晶膜の育成方法。
IPC (2)：
C23C16/18 ,  C23C16/40
FI (2)：
C23C16/18 ,  C23C16/40
F-Term (12)：
4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA47 ,  4K030BB13 ,  4K030CA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA01 ,  4K030LA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA41 ,  5F041CA65 ,  5F041FF16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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