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J-GLOBAL ID：200903017606798186

半導体製造装置のクリーニング方法

Inventor： 長谷川 誠
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993271850
Publication number (International publication number)：1995130706
Application date： Oct. 29, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】この発明の目的は、反応処理室を真空状態に保持したまま、反応処理室の内壁に堆積した反応生成物を除去することができ、反応生成物に起因した発塵を防止することである。【構成】クリーニング時、Cl2 ガスが導入パイプ13を介して反応処理室10内に導入される。この導入したCl2 ガスに高周波電力を印加しプラズマ化する。本来のプラズマ処理において反応処理室10の内壁に堆積したAlF3 からなる反応生成物は、Cl2 によるプラズマ処理によりAlCl3 なる物質に変化する。このAlCl3 は高蒸気圧のガスであり、気化、排気し易い物質であるため排気パイプ20から容易に排気することができる。

Claim (excerpt)：

少なくとも一部がアルミニウムまたはアルミニウム合金によって構成された反応処理室内に、少なくとも一種類のフッ素を含むガスを導入し、このガスをプラズマ化して被処理体を処理する半導体製造装置であって、前記反応処理室内に少なくとも一種類の塩素系または臭素系のガスを導入するとともにこのガスをプラズマ化し、前記被処理体の処理に伴い反応処理室内に発生した低蒸気圧の反応生成物を高蒸気圧の物質に置換して排気させることを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/304 341

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-191379
  
• 特開平4-120730
  
• ドライエツチング方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-210516   Applicant：ソニー株式会社