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J-GLOBAL ID：200903017623970561

半導体排ガスの除害装置

Inventor：
今村 啓志

About 今村 啓志


Applicant, Patent owner：
カンケンテクノ株式会社

About カンケンテクノ株式会社


Agent (1)： 森 義明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998041051
Publication number (International publication number)：1999221437
Application date： Feb. 06, 1998
Publication date： Aug. 17, 1999
Summary：
【要約】【課題】 PFCを所定以下の濃度にまで低減させて除害を図ると共に副生するF2(又は、弗素化合物)による高温腐食を抑え、除害装置として恒久的に使用出来るようなものにする事。【解決手段】 入口スクラバ(8)と、加熱反応部(2)と、出口スクラバ(9)と、受槽(3)とで構成され、加熱反応部(2)は、筒状の躯体(6)と洗浄ガス導入管(12)とヒータ(5)とで構成されている。躯体(6)の内周面、ヒータ(5)の外周面、洗浄排ガス導入管(12)の加熱反応部における少なくとも外周面はセラミックスである。水不溶性の熱分解性ガスの熱分解時にヒータ(5)の表面温度が800°C〜1400°Cに保持されており、発熱体はPt、Mo等の金属材料又はSiC等の非金属材料であり、この発熱体はAl2O3を主成分とした不滲透性セラミックチューブ等に挿填されている。
Claim (excerpt)：
半導体製造工程で排出される半導体排ガス中に含まれる加水分解性ガス又は水溶性ガス或いは加水分解性ガス又は水溶性ガスを水洗除去するための入口スクラバと、入口スクラバにて水洗された洗浄排ガス中に含まれている水不溶性の熱分解性ガスを加熱して熱分解する加熱反応部と、熱分解にて生じた加水分解性ガス又は水溶性ガス或いは加水分解性ガスと水溶性ガスを水洗除去する出口スクラバと、両スクラバから排出された洗浄水を収納する受槽とで構成された半導体排ガスの除害装置において、加熱反応部は、筒状の躯体と、入口スクラバに連通し、洗浄排ガスを加熱反応部に導入する洗浄排ガス導入管と、洗浄排ガス導入管の周囲に配設されているヒータとで構成されており、躯体の内周面と、ヒータの外周面並びに洗浄排ガス導入管の加熱反応部における少なくとも外周面はセラミックスであり、水不溶性の熱分解性ガスの熱分解時にヒータの表面温度が800°C〜1400°Cに保持されており、ヒータの発熱体はPt、Mo、Wの何れかの金属材料又はSiC、MoSi2、Cの何れかの非金属材料であり、該発熱体はAl2O3を主成分とした不滲透性セラミックチューブ又は外側がセラミックでコーティングされた金属製外筒に挿填されている事を特徴とする半導体排ガスの除害装置。
IPC (3)：
B01D 53/68 ,  B01D 53/77 ,  B01D 53/34 ZAB
FI (2)：
B01D 53/34 134 D ,  B01D 53/34 ZAB
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (2)

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