半導体装置の製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998283781
Publication number (International publication number)：2000114257
Application date： Oct. 06, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：

【要約】【課題】低温で成膜速度が大きく、水素またはハロゲン濃度を低減したシリコン窒化膜の形成を可能とする。【解決手段】二フッ化珪素と励起した窒素を試料表面に供給することでシリコン窒化膜を形成する。この二フッ化珪素ガスは、加熱したSi粒に前記四フッ化珪素ガスを接触させて形成する。

Claim (excerpt)：

少なくとも二フッ化珪素ガスと励起された窒素ガスを導入し、半導体基板上に、シリコン窒化膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/318 , C23C 16/34 , C23C 16/511 , H01L 21/31 , H01L 29/78

FI (5)：

H01L 21/318 B , C23C 16/34 , C23C 16/50 E , H01L 21/31 C , H01L 29/78 301 G

F-Term (59)：

4K030AA04 , 4K030AA06 , 4K030AA13 , 4K030AA18 , 4K030BA29 , 4K030BA40 , 4K030BB03 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030DA02 , 4K030DA03 , 4K030EA01 , 4K030FA01 , 4K030FA02 , 4K030FA08 , 4K030FA10 , 4K030FA12 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F040DA00 , 5F040DC01 , 5F040ED03 , 5F040ED04 , 5F045AA06 , 5F045AA09 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC02 , 5F045AC03 , 5F045AC15 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045BB07 , 5F045BB09 , 5F045DC57 , 5F045DC64 , 5F045DP03 , 5F045DP04 , 5F045EE01 , 5F045EE11 , 5F045EH18 , 5F045HA04 , 5F045HA22 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BE03 , 5F058BF07 , 5F058BF24 , 5F058BF30 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-104340
特開昭60-190564
特開昭53-062982

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