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J-GLOBAL ID：200903017658639930

プラズマCVD装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法

Inventor：
栗部 栄史

About 栗部 栄史


Applicant, Patent owner：
鐘淵化学工業株式会社

About 鐘淵化学工業株式会社


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999333348
Publication number (International publication number)：2001155997
Application date： Nov. 24, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：
【要約】【課題】 より安定したプラズマを生成して均一な膜厚および膜質を有する薄膜を高速で成膜することが可能なプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 排気部材を有する反応容器と、前記反応容器内に配置され、被処理基板を保持するアノード電極と、前記反応容器内に前記アノード電極に対向して配置されたホロカソードタイプの中カソード電極と、前記カソード電極に向けて反応ガスを供給するためのガス供給手段と、前記カソード電極に電力を印加するための電源とを具備し、前記カソード電極は、前記アノード電極に対向する前面に複数のガス吹き出し穴が開口され、これら穴の背面に位置する前記部分にこれら穴と連通するように穿設された前記穴より径の小さいガス導入孔とを有し、かつ前記各ガス吹き出し穴の直径は成膜時の放電条件での前記穴内周面付近に形成されるプラズマシースの距離の2倍を超え、12倍以下である。
Claim (excerpt)：
排気部材を有する反応容器と、前記反応容器内に配置され、被処理基板を保持するアノード電極と、前記反応容器内に前記アノード電極に対向して配置されたホロカソードタイプのカソード電極と、前記カソード電極に向けて反応ガスを供給するためのガス供給手段と、前記カソード電極に電力を印加するための電源とを具備し、前記カソード電極は、前記アノード電極に対向する前面に複数のガス吹き出し穴が開口され、これら穴の背面部分にこれら穴と連通するように穿設された前記穴より径の小さいガス導入孔とを有し、かつ前記各ガス吹き出し穴の直径は成膜時の放電条件での前記穴内周面付近に形成されるプラズマシースの距離の2倍を超え、12倍以下であることを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (3)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H05H 1/46
FI (3)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  H05H 1/46 M
F-Term (38)：
4K030AA06 ,  4K030AA08 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB04 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030FA03 ,  4K030HA02 ,  4K030JA01 ,  4K030JA03 ,  4K030KA15 ,  4K030KA17 ,  4K030LA16 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AF13 ,  5F045BB02 ,  5F045BB09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F045DA61 ,  5F045DA65 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EF05 ,  5F045EF20 ,  5F045EH05 ,  5F045EH14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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